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多晶硅专利技术资料均为国家专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、质量标准、专利发明人、权利要求书、说明书附图等。

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多晶硅专利技术

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0431-86189079/86189118 13664307097

1   CN02123086.2    轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
2   CN02137592.5    用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
3   CN01132674.3    在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法
4   CN01140819.7    蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
5   CN02137784.7    多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
6   CN02146376.X    利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法
7   CN02159740.5    一种功率型多晶硅发射极晶体管
8   CN02152432.7    薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
9   CN02151126.8    多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
10   CN03114762.3    多晶硅太阳能电池转换效率的测试方法
11   CN01808503.2    改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
12   CN01129599.6    N型掺杂多晶硅的制造方法
13   CN02125156.8    多晶硅结晶方法、薄膜晶体管及其液晶显示器的制造方法
14   CN02126851.7    降低多晶硅层洞缺陷的方法
15   CN02157198.8    多晶硅界定阶跃恢复器件
16   CN03101694.4    用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件
17   CN01810701.X    多晶硅棒及其加工方法
18   CN02102708.0    去除多晶硅残留的方法
19   CN02102709.9    去除多晶硅残留的方法
20   CN02104780.4    多晶硅间介电层的制造方法
21   CN02124913.X    低温多晶硅有机电激发光装置的制法
22   CN02120387.3    一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器
23   CN02146954.7    形成多晶硅连接的深沟动态随机存取存储器单元的方法
24   CN02123180.X    低电压操作的单一多晶硅快闪存储单元结构及其阵列
25   CN01815622.3    多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除
26   CN03109895.9    多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
27   CN02155288.6    制作多晶硅薄膜的方法
28   CN01125091.7    避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法
29   CN02106426.1    多晶硅膜的制造方法
30   CN98101933.1    具有半绝缘多晶硅吸杂位置层的半导体衬底及其制造方法
31   CN98106080.3    具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
32   CN98117482.5    多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置
33   CN98105624.5    利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
34   CN99101316.6    改进的多晶硅－硅化物
35   CN98102573.0    一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺
36   CN98118732.3    可靠的具有减小的薄膜电阻的多晶硅-硅化物栅极叠层
37   CN99124899.6    形成具有多晶硅-硅化钛结构的栅极的方法
38   CN99127057.6    三层多晶硅嵌入式非易失性存储器单元及其制造方法
39   CN98810175.0    用多晶硅炉料制备硅熔体的方法
40   CN99107074.7    多晶硅二极管的静电放电保护装置
41   CN98122620.5    具有电流增益的单一多晶硅DRAM存储单元及其制造方法
42   CN98803292.9    利用放热反应制备多晶硅的方法
43   CN00120190.5    用多晶硅掩模和化学机械抛光制造不同栅介质厚度的工艺
44   CN01110906.8    用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
45   CN00801552.X    单个多晶硅快闪电可擦除只读存储器及其制造方法
46   CN01116626.6    制作多晶硅－多晶硅/MOS叠层电容器的方法
47   CN99813247.0    多晶硅电阻器及其制造方法
48   CN01108131.7    多晶硅薄膜的制造方法
49   CN01120328.5    多晶硅膜表面处理溶液和采用该溶液的多晶硅膜表面处理方法
50   CN01121891.6    多晶硅的评价方法
51   CN99815584.5    高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
52   CN00126366.8    使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
53   CN00804829.0    具有基片触点和多晶硅桥接单元的半导体只读存储装置
54   CN00128798.2    多晶硅化钨栅极的制造方法
55   CN02112524.4    采用多晶硅温度二极管的集成风速计及其制造方法
56   CN01138535.9    横向多晶硅PIN二极管及其制造方法
57   CN00135749.2    70纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法
58   CN01140960.6    制备多晶硅颗粒的方法和装置
59   CN00810694.0    多晶硅化学气相沉积方法和装置
60   CN00811367.X    为快速擦写存储器装置的多晶硅提供掺杂质浓度的方法
61   CN02108099.2    评定多晶硅的方法和系统及制造薄膜晶体管的方法和系统
62   CN01801220.5    多晶硅、其生产方法及生产装置
63   CN02102090.6    用于评估多晶硅薄膜的装置
64   CN01110401.5    基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制
65   CN01137905.7    为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层的方法
66   CN01133118.6    液晶显示器的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
67   CN00815428.7    低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
68   CN00815450.3    用顺序横向固化制造均匀大晶粒和晶粒边界位置受控的多晶硅薄膜半导体的方法
69   CN200710018887.7    多晶硅薄膜及其组件的制备方法
70   CN200710078625.X    多晶硅介质平坦化的方法
71   CN200710143522.7    制备三氯氢硅和多晶硅的改进方法和装置
72   CN200610116122.2    用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
73   CN200610031088.9    监控两层多晶硅叠栅未对准的方法
74   CN200610116156.1    多晶硅-绝缘层-金属结构的电容及其制作方法
75   CN200710147827.5    高纯多晶硅的无损材料检测方法
76   CN200610030531.0    一种制作多晶硅发射极界面层的方法
77   CN200610126345.7    提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法
78   CN200610116747.9    用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
79   CN200610162878.0    多晶硅基片结晶度的测量方法及其应用
80   CN200680010952.5    使用透明基板制造多晶硅膜的方法和装置
81   CN200710070537.5    多晶硅铸锭炉的炉体保护装置
82   CN200710070535.6    多晶硅铸锭炉的硅液溢流保护系统
83   CN200710103856.1    多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
84   CN200710070538.X    多晶硅铸锭炉的热场节能增效装置
85   CN200680007000.8    挡板晶圆及其所用的随机定向多晶硅
86   CN200610063347.6    低温多晶硅薄膜制造方法
87   CN200610117669.4    一种用于抛光多晶硅的化学机械抛光液
88   CN200710070536.0    多晶硅铸锭炉的硅液溢流承接装置
89   CN200710171606.1    多晶硅硅化物电熔丝器件
90   CN200710150842.5    自缓释金属诱导晶化多晶硅薄膜材料的制备方法及应用
91   CN200610162288.8    气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
92   CN200680010634.9    闪存装置制造中用于多晶硅-1定义非临界互补掩膜方法
93   CN200610118831.4    多晶硅自对准插塞的制作方法
94   CN200610119126.6    半导体器件的着片多晶硅接触结构及栅极结构的制造方法
95   CN200710188198.0    包括低温多晶硅薄膜晶体管的影像显示系统及其制造方法
96   CN200610119335.0    非离子型聚合物在自停止多晶硅抛光液制备及使用中的应用
97   CN200710149348.7    制备大面积多晶硅方法
98   CN200610119058.3    改善多晶硅缺陷的方法
99   CN200610119377.4    多用途多晶硅边缘测试结构
100   CN200610119036.7    一种单层多晶硅栅可编程器件及其形成方法
101   CN200610119037.1    一种单层多晶硅栅MTP器件及其制造方法
102   CN200610119564.2    双极CMOS器件多晶硅刻蚀方法
103   CN200610165226.2    多晶硅刻蚀的方法
104   CN200610147393.4    量测多晶硅线底部形状的方法
105   CN200610119407.1    一种多晶硅电容耦合OTP器件及其制造方法
106   CN200610165336.9    一种多晶硅刻蚀的方法
107   CN200610147410.4    一种单层多晶硅栅OTP器件及其形成方法
108   CN200710302246.4    用高密度等离子氧化层作为多晶硅层间绝缘层的分隔栅的构成
109   CN200710305936.5    多晶硅的制造方法
110   CN200610148075.X    一种改进型栅极多晶硅掩膜层去除方法
111   CN200610148243.5    多晶硅栅层的沉积方法
112   CN200710063231.7    一种多晶硅刻蚀腔室中阳极氧化零件表面的清洗方法
113   CN200810001510.5    包含多晶硅的半导体器件及其制造方法
114   CN200680020688.3    多晶硅的制备
115   CN200710175384.0    高能束流多晶硅提纯装置
116   CN200710181223.2    具有多晶硅多层绝缘结构的非易失性存储单元
117   CN200710062733.8    一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法
118   CN200710050312.3    多晶硅氢还原炉的硅芯棒加热启动方法
119   CN200710036529.9    一种消除多晶硅刻蚀过程出现缝隙的方法
120   CN200710073193.3    低温多晶硅薄膜制作方法
121   CN200810034066.7    具有轻掺杂漏极区的多晶硅薄膜晶体管的制造方法
122   CN200680028769.8    在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法
123   CN200710063653.4    多晶硅的等离子生产方法及其装置
124   CN200710037157.1    一种可改善多晶硅栅极侧面轮廓的栅极制作方法
125   CN200810019916.6    多晶硅薄膜太阳能电池专用设备
126   CN200810024481.4    表面加工多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试方法
127   CN200710190889.4    倾倒式多晶硅真空拉锭炉
128   CN200810035118.2    多晶硅栅表面的清洗方法
129   CN200810070747.9    多晶硅太阳能电池织构层的制备方法
130   CN200720106945.7    一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护器件
131   CN200720103501.8    用等离子方法生产多晶硅的装置
132   CN200720113614.6    多晶硅铸锭炉的硅液溢流保护系统
133   CN200720113617.X    多晶硅铸锭炉的热场节能增效装置
134   CN200720113618.4    多晶硅铸锭炉的热场结构
135   CN200720113615.0    多晶硅铸锭炉的硅液溢流承接装置
136   CN200720113619.9    多晶硅铸锭炉用石墨坩锅
137   CN200720081576.0    多晶硅氢还原炉
138   CN200720081577.5    多晶硅氢还原炉
139   CN200720081578.X    多晶硅氢还原炉
140   CN200720081579.4    多晶硅氢还原炉
141   CN200720081580.7    多晶硅氢还原炉进气喷口
142   CN200720081581.1    适用于低压常规电源加热启动的多晶硅氢还原炉
143   CN200720081582.6    多晶硅氢还原炉测温视镜结构
144   CN200720306394.9    改进型多晶硅还原炉
145   CN200410021979.7    多晶硅氢还原炉
146   CN03142882.7    多晶硅薄膜的制造方法
147   CN03149089.1    薄膜晶体管的多晶硅制造方法
148   CN03142448.1    低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
149   CN03145338.4    低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
150   CN03147277.X    多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的电路布局方法
151   CN03147491.8    具多个共通电压驱动电路的多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
152   CN03143605.6    于基板上形成多晶硅层的方法
153   CN02820458.1    半导体电路制造的多层多晶硅瓦片结构
154   CN03155811.9    形成多晶硅层的方法
155   CN02822314.4    用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
156   CN02822606.2    用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法
157   CN200410046199.8    具有多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器及其制造方法
158   CN200410071242.6    包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
159   CN03143668.4    形成低温多晶硅薄膜晶体管的方法
160   CN200410038278.4    底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法
161   CN03153082.6    低温多晶硅平面显示面板
162   CN03152618.7    多晶硅层的结晶方法
163   CN03153211.X    多晶硅薄膜的制造方法
164   CN03149649.0    多晶硅薄膜的制造方法
165   CN03152295.5    低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
166   CN200410005025.7    具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
167   CN200410042335.6    多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件
168   CN200410069995.3    多晶硅层结构与其形成方法以及平面显示器
169   CN200410058928.1    制造多晶硅层的方法
170   CN200410062489.1    提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法
171   CN200410069751.5    半导体元件与其中的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
172   CN02823048.5    具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件
173   CN03150598.8    多晶硅层的处理方法
174   CN03155605.1    形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法
175   CN200410010970.6    一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜制造方法
176   CN200410010983.3    多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管
177   CN03134816.5    基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法
178   CN200410078639.8    半导体器件及制作一低温多晶硅层的方法
179   CN200410083540.7    具有多晶硅熔丝的半导体器件及其微调方法
180   CN200310108057.5    在半导体制程中避免多晶硅纵樑形成的半导体结构
181   CN200310108060.7    利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法
182   CN02826542.4    具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET
183   CN200410084917.0    制作低温多晶硅薄膜的方法
184   CN200410097453.7    制造多晶硅层的方法及其光罩
185   CN200410064831.1    一种制备多晶硅绒面的方法
186   CN200410087099.X    避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺
187   CN200410087100.9    减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺
188   CN200410100598.8    多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的显示器件
189   CN200410088647.0    包括多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器件及其制造方法
190   CN200410102169.4    用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法
191   CN200410103815.9    多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备
192   CN200410065842.1    测量多晶硅薄膜热膨胀系数的测量结构及其测量方法
193   CN200410090133.9    超小粒径多晶硅的结构和方法
194   CN200310122594.5    三维多晶硅只读存储器及其制造方法
195   CN200510004161.9    光罩与应用其形成多晶硅层的方法
196   CN200310122634.6    集成电路多晶硅高阻电阻的制作方法
197   CN200310123443.1    低温多晶硅薄膜的制造方法
198   CN200410085784.9    多晶硅膜的形成方法
199   CN200410085785.3    多晶硅膜的形成方法
200   CN200410082255.3    制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶体管的方法
201   CN200410085786.8    多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法
202   CN03804814.0    多晶硅衬底和太阳能电池的制备方法
203   CN02825279.9    利用多晶硅的薄膜晶体管制造方法
204   CN200510051959.9    具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板
205   CN200310121274.8    半导体元件和在其中形成多晶硅层的制造方法
206   CN200510007961.6    制造多晶硅薄膜的方法和使用该多晶硅的薄膜晶体管
207   CN200410104972.1    无粉尘且无微孔的高纯度粒状多晶硅
208   CN200410028649.0    形成多晶硅锗层的方法
209   CN200510051125.8    用于制造垂直DRAM中的钨/多晶硅字线结构的方法及由此制造的器件
210   CN200410039968.1    多晶硅化金属栅极结构及其制造方法
211   CN200510063890.1    制备具有W/WN/多晶硅分层薄膜的半导体器件的方法
212   CN200410026941.9    低温多晶硅薄膜电晶体基板及其制作方法
213   CN02146581.9    多晶硅层的制作方法
214   CN01818537.1    由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
215   CN03127506.0    采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片
216   CN02141690.7    在双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
217   CN03156160.8    制造具有低温多晶硅的顶栅型薄膜晶体管的方法
218   CN03155080.0    用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET
219   CN03147935.9    形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法
220   CN03132786.9    用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜和使用该多晶硅薄膜的器件
221   CN03158763.1    多晶硅的蚀刻方法
222   CN02157809.5    形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法
223   CN02151448.8    多晶硅薄膜结晶品质的检测装置及其检测与控制方法
224   CN02149395.2    多晶硅层的制作方法
225   CN02150450.4    利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法
226   CN02151447.X    多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法
227   CN02150428.8    多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线及制作方法
228   CN02158617.9    一种四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的联合制备法
229   CN03101577.8    一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
230   CN200410031320.X    多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法
231   CN200410003656.5    多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
232   CN03119145.2    内嵌单层多晶硅非易失性存储器的集成电路
233   CN03105365.3    低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法
234   CN02814101.6    具多晶硅射极双极性晶体管的制造方法
235   CN02126452.X    用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
236   CN01815870.6    玻璃衬底的预多晶硅被覆
237   CN03122982.4    低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管
238   CN03122318.4    低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
239   CN03109410.4    低温多晶硅薄膜的制造方法
240   CN03109485.6    低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法
241   CN200310110056.4    制备多晶硅的方法
242   CN200310117094.2    一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
243   CN200310115895.5    多晶硅的定向生长方法
244   CN200310117095.7    陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池
245   CN02816785.6    光及电可编程硅化多晶硅熔丝器件
246   CN03137831.5    将非晶硅转换为多晶硅的方法
247   CN03123932.3    具厚膜多晶硅的静电放电防护元件、电子装置及制造方法
248   CN03123733.9    低温多晶硅薄膜电晶体的结构
249   CN03141245.9    利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
250   CN03141252.1    利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法
251   CN200510002342.8    多晶硅薄膜的制造方法
252   CN200510002964.0    一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置
253   CN200510129672.3    减少在氮离子注入时产生多晶硅化金属空洞的方法
254   CN200510135886.1    由P+或者N+掺杂多晶硅形成其传输门电路的图像传感器像素
255   CN200510126605.6    光电二极管上设有多晶硅层的图像传感器及像素
256   CN200610065676.4    一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法
257   CN200510051939.1    多晶硅薄膜晶体管的制作方法
258   CN200510039283.1    多晶硅薄膜残余应变的在线检测结构及检测方法
259   CN200410027101.4    低温多晶硅显示装置及其制作方法
260   CN200410017895.6    一种抑制多晶硅针孔的多晶硅层缓冲局部场氧化硅结构工艺方法
261   CN200410057296.7    多晶硅液晶显示器件的制造方法
262   CN200510076239.8    具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器
263   CN02824656.X    具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺
264   CN200410037914.1    以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案
265   CN200510027270.2    电热致动多晶硅柔性铰支承杠杆式微夹钳
266   CN200510078600.0    多晶硅的生产装置
267   CN200410018463.7    形成具高电阻值的多晶硅薄膜的方法
268   CN200410018450.X    利用双镶嵌工艺来制造T型多晶硅栅极的方法
269   CN200410018452.9    利用双镶嵌工艺来形成T型多晶硅栅极的方法
270   CN200410018455.2    形成T型多晶硅栅极的方法
271   CN200410047532.7    一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法
272   CN200410047533.1    15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法
273   CN200410043289.1    应用于高效能薄膜晶体管的多晶硅退火结构及其方法
274   CN200410024614.X    化学机械抛光用于接合多晶硅插拴制造方法及其结构
275   CN200510072898.4    形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件
276   CN200510076488.7    具有多晶硅插头的半导体器件的制造方法
277   CN200410025369.4    制造双层多晶硅存储器元件的方法
278   CN03825535.9    形成多晶硅结构
279   CN200510051955.0    在半导体装置中形成多晶硅层的方法
280   CN200510081929.2    制备多晶硅薄膜的方法以及用其制备半导体器件的方法
281   CN200410052675.7    制造双层多晶硅可改写非挥发性存储器的方法
282   CN200410071618.3    低温多晶硅薄膜晶体管及其通道层的制造方法
283   CN200510014464.9    低温多晶硅薄膜晶体管全集成有源选址基板及制备方法
284   CN200410054469.X    低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
285   CN200380106188.8    多晶硅细脉熔丝
286   CN200510016605.0    一种制备多晶硅的方法
287   CN200410097028.8    制造内层多晶硅介电层的方法
288   CN200380101946.7    多晶化方法、制造多晶硅薄膜晶体管的方法及用于该方法的激光辐照装置
289   CN200410054227.0    形成具有粗糙表面的多晶硅的方法
290   CN200410073655.8    多晶硅薄膜晶体管制造方法
291   CN200410054376.7    改善栅极多晶硅层电阻值的方法
292   CN200510067253.1    多晶硅薄膜晶体管的形成方法
293   CN200410035815.X    彩色多晶硅微粒及其制备方法
294   CN200410085114.7    平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法
295   CN200410066575.X    闪存储器用的多层叠层多晶硅栅的平整方法
296   CN200410011136.9    激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法
297   CN200510120417.2    具有多晶硅层的显示面板及其制造方法
298   CN200410083862.1    多晶硅薄膜晶体管离子感测装置与制作方法
299   CN200410085851.7    用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法
300   CN200410075872.0    形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法
301   CN200510015747.5    浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用
302   CN200410089240.X    多晶硅化学机械研磨法来增进栅极微影能力的方法
303   CN200510107337.3    带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺
304   CN200510015748.X    溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用
305   CN200510119309.3    低温多晶硅薄膜晶体管显示面板及其制造方法
306   CN200480014798.X    硅薄膜退火方法和由该方法制造的多晶硅薄膜
307   CN200510000163.0    薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法
308   CN200610010654.8    一种制备太阳能级多晶硅的方法
309   CN200480016528.2    具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对
310   CN200610009346.3    激光辐射方法和形成多晶硅薄膜的装置
311   CN200610006074.1    有机发光二极管显示面板及其多晶硅通道层的形成方法
312   CN200480023463.4    具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对
313   CN200510059536.1    单层多晶硅电可擦可编程只读存储器
314   CN200610035301.3    一种多晶硅生产过程中的副产物的综合利用方法
315   CN200510126289.2    一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法
316   CN200510126370.0    一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法
317   CN200510126340.X    一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺
318   CN200510126274.6    一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺
319   CN200510126381.9    一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺
320   CN200510126369.8    一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺
321   CN200610081729.1    具有平坦表面的多晶硅薄膜及其制造方法
322   CN200510068006.3    一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法
323   CN200480028359.4    精密多晶硅电阻器工艺
324   CN200610075110.X    用于减小多晶硅高度的SOI底部预掺杂合并e-SiGe
325   CN200510025458.3    多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件及制作方法
326   CN200610078524.8    用于沉积多晶硅的CVD装置
327   CN200510126458.2    一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺
328   CN200510119279.6    多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶体管的制造方法
329   CN200510126276.5    一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留聚合物的方法
330   CN200510126275.0    一种防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺
331   CN200510062883.X    降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法
332   CN200480031172.X    双胆碱和三胆碱在涂石英多晶硅和其它材料清洁中的用法
333   CN200610046525.4    一种太阳能电池用高纯多晶硅的制备方法和装置
334   CN200510077714.3    一种生产多晶硅用的还原炉
335   CN200510079423.8    限定多晶硅图案的方法
336   CN200480035030.0    激光薄膜多晶硅退火光学系统
337   CN200480035031.5    激光薄膜多晶硅退火系统
338   CN200610043184.5    单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法
339   CN200610043185.X    单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法
340   CN200510080160.2    多晶硅的制造方法
341   CN200510027415.9    多晶硅栅极掺杂方法
342   CN200510116780.7    多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法
343   CN200510082849.9    用于连续横向固化技术的掩膜及用其形成多晶硅层的方法
344   CN200510080415.5    具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法
345   CN200510080718.7    薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法
346   CN200480040901.8    用于在衬底上淀积多晶硅层的装置
347   CN200610000678.5    用于多晶硅低温结晶化的金属催化剂掺杂装置及通过该装置进行掺杂的方法
348   CN200510087786.6    高压水气退火的多晶硅薄膜晶体管组件的制作方法
349   CN200580003282.X    铸模及其形成方法,和采用此铸模的多晶硅基板的制造方法
350   CN200610103856.7    形成多晶硅薄膜的方法及用该方法制造薄膜晶体管的方法
351   CN200610151736.4    低温多晶硅液晶显示结构及其制造方法
352   CN200510098656.2    形成多晶硅薄膜的方法
353   CN200510098484.9    薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法
354   CN200610017755.8    P型太阳能电池等级多晶硅制备工艺
355   CN200610122132.7    一种用稻壳制备太阳能电池用多晶硅的方法
356   CN200610010599.2    采用无氯烷氧基硅烷制备多晶硅的方法
357   CN200580015605.7    双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻
358   CN200580015098.7    利用双多晶硅的位线注入
359   CN200510116621.7    一种低温多晶硅薄膜器件及其制造方法与设备
360   CN200510110069.0    用于应变硅MOS晶体管的多晶硅栅极掺杂方法和结构
361   CN200610134108.5    一种锌还原法生产多晶硅的工艺
362   CN200610134107.0    一种太阳能级多晶硅的生产方法
363   CN200610064871.5    直接沉积多晶硅的方法
364   CN200510110230.4    高压集成电路中制作高阻值多晶硅电阻的方法
365   CN200610139874.0    适用于有机发光二极管显示器的多晶硅薄膜象素电极
366   CN200610022263.8    多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
367   CN200610022264.2    多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件
368   CN200580018375.X    多晶硅板制备方法
369   CN200610121897.9    多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管
370   CN200610128002.4    单层多晶硅非易失性存储器装置的操作方法
371   CN200610123789.5    择优取向的多晶硅薄膜的制备方法
372   CN200510110687.5    多晶硅太阳能发电并网装置
373   CN200610121898.3    具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置
374   CN200610139877.4    使用固体激光器退火的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法
375   CN200580021278.6    低电压单层多晶硅电可擦编程只读存储器(EEPROM)存储单元
376   CN200610078728.1    叠层储存电容器结构、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
377   CN200510111175.0    一种在集成电路中使用α多晶硅的方法
378   CN200510111044.2    用于静电放电保护的改善多晶硅-源区边界电场的结构
379   CN200510126405.0    一种多晶硅存储元件及其制备方法
380   CN200510111430.1    多晶硅炉的喷嘴
381   CN200510131794.6    多晶硅薄膜的制作方法
382   CN200610166981.2    多晶硅层、制造其的方法和平板显示器
383   CN200610166982.7    多晶硅层、使用其的平板显示器及其制造方法
384   CN200510111454.7    多晶硅太阳电池绒面的制备方法
385   CN200510135272.3    形成多晶硅薄膜的方法
386   CN200510132576.4    一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
387   CN200610148517.0    具有金属和多晶硅栅电极的高性能电路及其制造方法
388   CN200610154949.2    一种掺杂锗的定向凝固铸造多晶硅
389   CN200610023162.2    利用浮动和/或偏置多晶硅区域的静电保护系统和方法
390   CN200610130711.6    表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法
391   CN200710000867.7    多晶硅横向结晶方法以及应用其制造的多晶硅薄膜晶体管
392   CN200580027437.3    具有发射极多晶硅源/漏区的EEPROM单元的制造
393   CN200610001055.X    多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法
394   CN200610013089.0    供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片
395   CN200710003854.5    生成低电阻自对准多晶硅化物栅极和台面接触区MOSFET器件的结构和方法
396   CN200610003079.9    多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶体管的制造方法
397   CN200710067517.2    一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
398   CN200610007569.6    形成多晶硅薄膜装置的方法
399   CN200610057881.6    将非晶硅结晶成多晶硅的方法及使用于此方法之光刻掩膜
400   CN200710005307.0    一种单一内嵌多晶硅存储结构及其操作方法
401   CN200710068137.0    利用纵向多晶硅增加静电泄放通道的静电放电防护器件
402   CN200710105965.7    多晶硅的除硼方法
403   CN200710086008.4    用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
404   CN200710105737.X    一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法
405   CN200610025646.0    通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法
406   CN200710089904.6    蘸取式多晶硅太阳能电池p-n结的制作方法
407   CN200580039432.2    多晶硅晶棒的制造方法
408   CN200610098711.2    低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
409   CN200610080408.X    低温多晶硅薄膜晶体管结构及其制造方法
410   CN200610167258.6    多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
411   CN200710079489.6    用于制造单晶或多晶材料、尤其是多晶硅的装置和方法
412   CN200610080561.2    用于显示影像的系统及低温多晶硅的激光退火方法
413   CN200710104550.8    一种单层多晶硅、多位的非易失性存储元件及其制造方法
414   CN200710109256.6    用单层多晶硅工艺形成高薄层电阻量电阻器和高电容量电容器
415   CN200610027371.4    在金属和多晶硅化学机械研磨中减少大图案凹陷的方法
416   CN200710109123.9    多晶硅锭制造装置
417   CN200710110585.2    尤其在闪存中用于刻蚀多晶硅上钨硅化物的方法
418   CN200610027589.X    利用多晶硅区的I/O ESD保护的系统和方法
419   CN200710009237.6    一种多晶硅的提纯方法及其凝固装置
420   CN200710009238.0    太阳能级多晶硅大锭的制备方法
421   CN200710014346.7    高效太阳能电池用微晶多晶硅片无切割制备方法
422   CN200610095644.9    多晶硅层及其制造方法
423   CN200710110683.6    制作多晶硅薄膜的方法
424   CN200610159864.3    低温多晶硅驱动电路
425   CN200710070539.4    多晶硅铸锭炉的热场结构
426   CN200480044730.6    用于产生结晶方向受控的多晶硅膜的系统和方法
427   CN200610172718.4    多晶硅图案形成方法、多层交叉点电阻存储器及制造方法
428   CN200610107616.4    多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
429   CN200610029615.2    多晶硅刻蚀腔体
430   CN200610108416.0    单层多晶硅可电除可程序只读存储单元的制造方法
431   CN200710106500.3    用于使低温多晶硅薄膜面板平面化的多晶硅平面化溶液
432   CN200710052244.4    多晶硅原料低能耗提纯制备方法
433   CN200710012825.5    一种太阳能电池用多晶硅制造方法
434   CN200710056020.0    有源驱动有机电致发光显示屏中多晶硅TFT阵列的制作方法
435   CN200610030101.9    超厚多晶硅回刻的方法
436   CN200710102457.3    多晶硅控制的回蚀刻显示器
437   CN200810045015.4    一种转化四氯化硅制取三氯氢硅和多晶硅的方法
438   CN200710172387.9    太阳能等级多晶硅的制备方法
439   CN200680032961.4    在流化床反应器中制备颗粒状多晶硅的方法和装置
440   CN200810010375.0    以高纯石英砂为原料生产太阳能级多晶硅的方法
441   CN200810011319.9    多晶硅片水基清洗剂
442   CN200710036107.1    用于多晶硅铸锭工艺的石墨加热器
443   CN200580028528.9    具有多晶硅浮置隔片的镜像存储单元晶体管对的制造方法
444   CN03201339.6    制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具
445   CN200320112910.6    多晶硅薄膜晶体管离子注入机
446   CN200420033142.X    多晶硅氢还原炉
447   CN03202376.6    非晶硅（多晶硅）家用小型太阳能发、用电装置
448   CN200420060144.8    多晶硅氢还原炉
449   CN200420065978.8    低温多晶硅薄膜晶体管
450   CN200420073977.8    低温多晶硅薄膜晶体管
451   CN200420072104.5    低温多晶硅薄膜晶体管基板
452   CN200420072111.5    低温多晶硅显示装置
453   CN200520060399.9    MTV播放器低温多晶硅显示装置
454   CN200520046843.1    多晶硅太阳能发电并网装置
455   CN200520146920.0    一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
456   CN200620091873.9    多晶硅冶炼用调压变压器
457   CN200620031881.4    制备多晶硅用铸锭炉
458   CN200720076665.6    多晶硅定向凝固下拉晶体生长的重心驱动传动机构